SiC（炭化ケイ素）コーティングは、
エピタキシーなどの半導体製造プロセスにおける、
重要な表面処理です。
半導体製造装置向けのSiCコーティング製品には、
厳しく高い壁があります。
- 高温耐性：1700℃前後
- 高い耐食性
- 高純度：＞99.9999％
- 不純物：5ppm以下
SiCコーティング工場紹介
- SiC コーティングは半導体業界で広く使用されており、業界の急速な発展によりSiCコーティング製品は多くのお客様に評価され継続的にご使用いただいています。
- SiCコーティング製品の純度要件は比較的高く、特殊な用途では5PPM以下に達する場合もあります。
- コーティングされたディスクの年間生産量は約4,000枚です。
- 研究開発チームの中心メンバーは、業界で20年以上の研究開発経験を持っています。
- 継続的な技術向上のため、社内の研究開発センターと社外との協同研究所を持っています。
SiCコーティングは、高純度、耐侵食性、高熱伝導性、耐高温性、低熱膨張係数と多くの点でとても優れた性能を発揮します。
Si単結晶、GaN、AlN、サファイアなどのMOCVD台座、エピタキシャル成長用グラファイトベースなど
耐高温性、耐腐食性、長寿命、ウェハの品質と出力を向上させることが期待できます。
熱膨張係数が非常に低く、耐高温性、耐摩耗性が高く、絶縁性、化学的安定性が良好です。
SiCコーティング物理性能
項目 / Property | 規格値 / Typical Value |
結晶構造 / Crystal Structure(1) | FCC β相多結晶 主に(111)配向 |
密度 / Density | 3.21 g/cm3 |
硬度 / Hardness | 2500HV (500g荷重) |
粒度 / Grain Size(2) | 2-10μm |
純度 / Chemical Purity(3) | 99.99995% |
熱容量 / Heat Capacity | 640 J･kg-1･K-1 |
昇華温度 / Sublimation Temperature | 2700℃ |
曲げ強度 / Felexural Strength | 415 MPa RT 4-point |
ヤング率 / Young’s Modulus | 430 Gpa 4pt bend, 1300°C |
熱伝導率 / Thermal Conductivity | 300W･m-1･K-1 |
熱膨張係数 / Thermal Expansion (CTE) | 4.5×10K-1 |
SiCコーティング膜の結晶構造は面心立方構造であり、コーティング膜成長配向性は100%に近い (111)
SEMデータ（結晶サイズは2~10um）
SiCコーティング含量 規格値 純度>99.99995%
成分 | 規格値 |
Li | <0.001 |
Be | <0.001 |
B | 0.03 |
C | Matrix |
F | <0.1 |
Na | <0.05 |
Mg | <0.05 |
Al | <0.05 |
Si | Matrix |
P | <0.05 |
S | <0.1 |
Cl | 0.43 |
K | <0.1 |
Ca | <0.05 |
Sc | <0.01 |
| Ti | <0.05 |
V | <0.01 |
Cr | <0.05 |
Mn | <0.05 |
Fe | <0.05 |
Co | <0.01 |
Ni | <0.01 |
Cu | <0.05 |
Zn | <0.05 |
Ga | <0.05 |
Ge | <0.05 |
As | <0.05 |
Se | <0.05 |
Br | <0.05 |
Rb | <0.05 |
Sr | <0.05 |
Y | <0.05 |
Zr | <0.05 |
Nb | <0.05 |
Mo | <0.05 |
Ru | <0.05 |
Rh | <0.05 |
Pb | <0.05 |
成分 | 規格値 |
Ag | <0.001 |
Cd | <0.001 |
| In | <0.05 |
| Sn | <0.05 |
| Sb | <0.05 |
| Te | <0.05 |
| I | <0.05 |
| Cs | <0.05 |
| Ba | <0.05 |
| La | <0.05 |
| Ce | <0.05 |
| Pr | <0.05 |
| Nd | <0.05 |
| Sm | <0.05 |
| Eu | <0.05 |
| Gd | <0.05 |
| Tb | <0.05 |
| Dy | <0.05 |
| Ho | <0.05 |
| Er | <0.05 |
| Tm | <0.05 |
| Yb | <0.05 |
| Lu | <0.05 |
| Hf | <0.05 |
| Ta | <5 |
| W | <0.05 |
| Re | <0.05 |
| Os | <0.05 |
| Ir | <0.05 |
| Pt | <0.05 |
| Au | <0.05 |
| Hg | <0.05 |
| Tl | <0.05 |
| Pb | <0.05 |
| Bi | <0.05 |
| Th | <0.01 |
| U | <0.01 |
SiCコーティング部品 製造の流れ
半導体産業内でのコーティング製品
SiCコーティングと関連製品紹介
高純度グラファイト製品
グラファイト材料の改善から、高品質なグラファイト製品の製造に注力し、先進的な技術と生産設備を使用して、5ppm未満の高純度にカスタマイズされたグラファイト製品のご提供も可能です。
SiCコーティング製品
SiCコーティング技術の研究開発と半導体産業への応用に重点を置いており幅広い製品を製造しております。
主な製品：LEDチップエピタキシャル用ベース、MOCV用Dサセプタ、エッチングプレート、など
高純度再結晶SiC
再結晶シリコンカーバイドの純度は99.9%。拡散炉のようなウエハと直接接触するプロセスに最適な材料です。
ＳｉＣコーティング製品一例
SiCコーティング
エピタキシャルトレイ
SiCコーティング
MOCVD向けキャリア
SiCコーティング
単結晶Si向けトレイ
SiCコーティング
エピタキシャルトレイ
SiCコーティング部品